Eine Speicherrevolution: Nicht-flüchtige DRAM+ bereit für die Produktion

Ferroelectric Memory Co. (FMC) und Neumonda haben sich zusammengeschlossen, um DRAM+ auf den Markt zu bringen – eine nächste Generation von Speichertechnologie, die die Leistung von traditionellem DRAM mit der Fähigkeit verbindet, Daten ohne Strom zu speichern, ähnlich wie SSDs.

Im Mittelpunkt von DRAM+ steht ferroelectric Hafniumoxid (HfO₂), das die herkömmlichen Kondensatoren ersetzt, die typischerweise in Speicherzellen verwendet werden. Diese Innovation bewahrt die Hochgeschwindigkeitsmerkmale von DRAM, während sie die Notwendigkeit für eine ständige Stromversorgung zur Datenhaltung beseitigt. Frühere Versuche verwendeten Blei-Zirkonat-Titanat (PZT), aber dieses Material stellte sich als zu schwierig und teuer heraus, um es für moderne, miniaturisierte Chip-Designs zu skalieren.

Im Gegensatz zu PZT ist HfO₂ vollständig kompatibel mit bestehenden Halbleiterfertigungsprozessen – sogar mit solchen, die Technologien unter 10 nm verwenden. Das öffnet die Tür zur Schaffung von Multi-Gigabyte-Speicherchips, was DRAM+ zu einem ernsthaften Konkurrenten für standardmäßiges DRAM in Bezug auf Datendichte macht. Neumonda wird seine spezialisierten Testplattformen – Rhinoe, Octopus und Raptor – bereitstellen, um den neuen Speicher zu evaluieren. Diese Plattformen sind für einen geringen Stromverbrauch ausgelegt und bieten tiefgreifende Analysefähigkeiten, die traditionelle Geräte nicht bieten können.

Es wird erwartet, dass DRAM+ zunächst in der Automobil-Elektronik, medizinischen Geräten und Maschinenlernsystemen Verwendung findet. Darüber hinaus kann die Technologie in bestehende Produktionslinien integriert werden, ohne größere Umstellungen – ein entscheidender Vorteil, der die Einführung beschleunigen könnte.